A | 当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。
SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。 8月24日，美股三大指数走势分化，截至发稿，道琼斯指数涨0.33%，纳斯达克综合指数跌0.92%，标普500指数跌0.31%。
存储芯片板块走弱，SK海力士跌超6%，美光科技跌超6%，闪迪跌超10%。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。 全球要闻 黄金、比特币起飞！美债危机正重燃“货币贬值交易”？ 美国财长贝森特旨在压低美国融资成本的干预，仅让长期美债收益率走低了不到一天。相比之下，更为持久的市场信号却在于——美元走弱，而黄金与比特币同步走高，进一步强化了年初由不断膨胀的美国财政赤字及政策走向隐忧所驱动的“货币贬值交易”叙事。 全球央行年会本周召开！贝森特救不动的美债 沃什能救吗？ 债券投资者本周无疑将把焦点牢牢锁定在美联储主席凯文·沃什于杰克逊霍尔全球央行年会的讲话上。 更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。
该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。
B | 受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。随着美国财长贝森特上周的“救市”行动效果迅速消退，长期美国国债眼下正面临进一步抛售的风险，市场显然将从沃什表态中寻找美联储将如何应对顽固通胀与财政隐忧的蛛丝马迹…… 美财长：美伊战事进入“终局” 特朗普政府已摧毁伊几乎所有军工厂 “掩埋”其核计划 美财长称美伊战事进入“终局”美国财政部长贝森特23日晚在社交媒体上说，美国同伊朗的战事正进入“终局”，扬言要切断伊朗政权“每一条经济命脉”，直至德黑兰“孤立无援”。贝森特说，特朗普政府已瓦解伊朗的军事能力，摧毁其几乎所有军工厂，并“掩埋”了伊朗核计划。
C | SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。 钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。 300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。 美联储“大鹰派”再发声：通胀短期内难回落 北美贸易战成新逆风！ 明尼阿波利斯联储主席尼尔·卡什卡利（Neel Kashkari）周日表示，美国国债收益率上升并不构成担忧，也不太可能影响货币政策决定。不过，美国通胀短期内难以回落至目标水平，而关税和贸易冲突是“罪魁祸首”之一。 375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。 高盛揭秘10万亿美元AI持仓版图 对冲基金与共同基金有哪些不同？ 在持续火爆但波动性极高的人工智能（AI）交易中，高盛最新报告或许能让人一窥专业投资者的思路。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。
D | 中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。高盛表示，对冲基金对人工智能交易的敞口仍然比共同基金更大，但两类基金在2026年第二季度都调整了人工智能股票的仓位。
E | 而且，它们对于大型科技股和半导体等个股的选择也截然不同。 公司新闻 英伟达财报即将登场！高盛：若不释放这三大利好 股价恐仍将下行 本周三（8月26日）美股盘后，“AI芯片霸主”英伟达将公布2027财年第二季度财报。
F | 尽管和华尔街大多数机构一样，高盛预计英伟达第二季度业绩将表现强劲，业绩指引存在显著上修空间，但高盛分析师仍然暗示——这并不意味着公司股价能够在财报公布后上涨。 SK海力士公布最新HBM进展 称竞争焦点从内存性能转向封装技术 人工智能数据中心使用的高带宽内存（HBM）技术正在出现重大转向。SK海力士美国公司副总裁Lee Jae-sik最新表示，未来行业不仅需要关注HBM本身，还需要关注封装技术如何影响HBM。 然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。Lee在当地时间23日出席了美国斯坦福大学举行的半导体会议Hot Chips 2026，并发表了题为“HBM的高科技封装”演讲。
G | 基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。 不认同阿里新股配售？美股“大空头”重大调仓：清仓阿里、押注京东！ 美东时间周日，美股知名“大空头”迈克尔·伯里公开表示，他已经清仓阿里巴巴集团的持仓，转而布局其电商竞争对手京东集团。 爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。
H | 其中—— 沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级； 输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送； CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求； 清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入； 刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求； 量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。他表示，他并不看好阿里巴巴最新的新股配售做法，并认为其当前股价已经过高。
I | 该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。
（文章来源：科创板日报）。
J | AI“追新”风气悄悄结束 Anthropic顶尖模型在企业市场遇冷 Anthropic计划在今年IPO，然而越来越多的投资者质疑该公司是否匹配其目标估值。最新消息称，该公司计划募资1000亿美元，这将使其IPO估值达到2万亿美元。据支付集团Ramp的最新数据显示，Anthropic最大、最昂贵的模型Fable 5发布两个多月后，其收益已稳定占到该公司所有模型总收入的11%左右。
K | 但这并不符合企业用户追逐最强大模型的消费路径。
L | 英伟达部分客户据悉被告知AI相关产品会涨价超15% 据报道，英伟达最大客户中的一些已被告知，由于内存芯片成本飙升，搭载英伟达AI芯片的服务器很多会涨价逾15%。知情人士透露，此轮涨价适用于明年年初交付的系统，受影响的包括搭载旗舰级Vera Rubin和Grace Blackwell芯片的系统。具体涨幅将取决于英伟达芯片是哪一代产品以及内存配置。。
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Published on:02:34:08
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